RESEARCH OF PIEZORESISTIVE EFFECT IN SILICON FILMS AND DEVELOPMENT OF MEASURING TRANSDUCERS BASED ON THEM
DOI:
https://doi.org/10.30890/2709-2313.2023-23-01-017Keywords:
semiconductors, sensors, strain gauge, piezoresistanceAbstract
The piezoelectric effect in semiconductor materials is analyzed. The features of piezoresistance in silicon films on insulating substrates and the ratio of piezoresistance coefficients depending on the crystallographic orientation are considered. The desiMetrics
References
Клокова Н.П. Тензорезисторы. Датчики и системы. 2004, №3, с.10-12.
Гридчин В.А., Любимский В.М.. Пьезосопротивление в пленках поликристаллического кремния р-типа. ФТП, 2004, т.38, в.8.
Nikolay Gorbachuk, Mikhail Larionov, Aleksey Firsov, Nikolay Shatil. Semiconductor Sensors for a Wide Temperature Range. Sensors & Transducers Journal and Magazine, Vol. 162, Issue 1, January 2014, pp.1-4
Горбачук Н.Т., Диденко П.И. Исследование некоторых электрофизических свойств пленок n-Si, легированных ионной имплантацией. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006, №4, с.104-106
Горбачук М.Т.. Електротехнічні матеріали. Навчальний посібник. LAP LAMBERT Academic Publishing. 17 Meldrum Street, Beau Bassin 71504, Mauritius, 2017. ISBN: 978-620-2-05432-4, 110 с.
Дружинин А.А., Марьямова И.И., Кубраков А.П., Павловский И.В. Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2008, №4, с. 26-30.
Беляков В.А., Горбачук Н.Т., Ламзин Е.А., и др. Полупроводниковые измерительные преобразователи деформации, температуры и магнитного поля для применения в условиях радиационного воздействия, широком диапазоне температур и магнитных полей. «Вопросы атомной науки и техники», Серия: Электрофизическая аппаратура, в.3(29), 2005, с.46-54.
Клокова Н.П. Тензорезисторы. -М.: Машиностроение, 1990.-224с.
Дайчик М.Л., Пригоровский Н.И., Хуршудов Г.Х. Методы и средства натурной тензометрии. Справочник. М. Машиностроение, 1989.-240с.
Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. –М.: Энергоатомиздат, 1983. – 136 с.
Терстон Р. Применение полупроводниковых преобразователей для измерения деформаций, ускорений и смещений. –В кн.: Физическая акустика/ Под ред. У. Мэзона, т.1, часть Б –Методы и приборы ультразвуковых исследований. Пер. с англ. – М.: Мир, 1967, с.187–209.
Зеегер К. Физика полупроводников. Пер. с англ. под ред. Ю.К. Пожелы. –М.: Мир, 1977, с. 615.
Smith C.S. Piezoresistance effect in germanium and silicon. – Phys. Rev. 1954, v. 94, 1, p. 42–49.
Tufte O.N., Stelzer E.L. Piezoresistive properties of silicon diffused lauers.– J. Appl. Phys., 1963, v. 34, 9, p. 313–318.
Патент РФ 2043671. Полупроводниковый тензорезистор. Авт. Горбачук Н.Т. / Б.И. 1995, №25.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Copyright (c) 2023 Authors
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
